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Gas sensor having a field-effect transistor
专利权人:
KRAUSS ANDREAS;ROBERT BOSCH GMBH
发明人:
KRAUSS ANDREAS
申请号:
US20090635224
公开号:
US8072009(B2)
申请日:
2009.12.10
申请国别(地区):
美国
年份:
2011
代理人:
摘要:
A gas sensor having a field-effect transistor for detecting gases or gas mixtures is provided. The gas sensor includes a substrate having a source, drain and gate region, a gas-sensitive layer being applied on the gate region. A porous adhesive agent is provided for the adhesion of the gas-sensitive layer in the gate region.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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