一种基于多孔硅和聚合物的神经电极及其制作工艺和应用
- 专利权人:
- 薛宁
- 发明人:
- 薛宁,薛德林
- 申请号：
- CN201710695756.6
- 公开号：
- CN107473175B
- 申请日:
- 2017.15.08
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种基于多孔硅和聚合物的神经电极及其制作工艺和应用,属于电学传感器技术领域。该神经电极包括衬底层和衬底层上面的结构层,所述结构层为柔性聚合物‑电极材料层‑柔性聚合物的三明治结构,其中:所述衬底层是由多孔硅衬底和硅衬底组成;所述结构层的上表面分别设有电极触点Ⅰ和电极触点Ⅱ;电极触点Ⅰ用于脑信号记录触点,电极触点Ⅱ与外引线键合后与脑外部神经信号采集装置相连接。该神经电极用于脑神经信号的监测,多孔硅部分插入脑组织后,在脑组织的弱碱性环境中,多孔硅生成可溶性物质。该神经电极具有体积小、多通道、低功耗、成本低、性能稳定性强等特点。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
