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高周波増幅回路
- 专利权人:
- 株式会社村田製作所
- 发明人:
- 廣岡 博之
- 申请号：
- JP20140554205
- 公开号：
- JPWO2014103495(A1)
- 申请日:
- 2013.10.28
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 高周波増幅回路（１０）は、高周波用の増幅器（１０１）、バイアス回路（２０）を備える。バイアス回路（２０）は、バイアス制御素子（１０２，１０３）を備える。バイアス制御素子（１０２）のエミッタは、抵抗（２０１）を介して増幅器（１０１）のベースに接続する。バイアス制御素子（１０３）のエミッタは、抵抗（２０３）を介してスイッチ素子（１０４）のコレクタに接続する。スイッチ素子（１０４）はエミッタ接地されている。バイアス制御素子（１０２）のエミッタとバイアス制御素子（１０３）のエミッタとの間には、抵抗（２０４）が接続されている。バイアス制御素子（１０２，１０３）のベースには、制御電圧（ＶＣＴＬ）が印加される。スイッチ素子（１０４）のベースには、動作モードに応じたバイアス電流調整用電圧（
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
