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電圧発生回路、負電圧発生回路、正負電圧論理回路、及び高周波スイッチ回路
- 专利权人:
- 新日本無線株式会社
- 发明人:
- 榎本 光浩
- 申请号：
- JP20150116143
- 公开号：
- JP2017005063(A)
- 申请日:
- 2015.06.08
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】回路を構成するトランジスタのピンチオフ電圧の変動の影響を抑制することが可能な電圧発生回路を提供する。【解決手段】ドレイン端子が電源に接続され、ソース端子が出力に接続されるディプレッション型ＦＥＴ３２と、ディプレッション型ＦＥＴ３２のソース端子とゲート端子間に接続される電流制限抵抗Ｒｒと、ディプレッション型ＦＥＴ３２のゲート端子とグランド端子間に接続される、互いに直列接続されたショットキーバリアダイオード３３及び所定段数のダイオード接続エンハンスメント型ＦＥＴ３５と、を備え、ディプレッション型ＦＥＴ３２のピンチオフ電圧の変動に対して、ダイオード接続エンハンスメント型ＦＥＴ３５の順方向電圧が変動してピンチオフ電圧の変動が相殺される。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
