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一种重楼根茎种植沟
专利权人:
大理俊峰生物科技有限公司
发明人:
许俊峰
申请号:
CN201520410918.3
公开号:
CN204697494U
申请日:
2015.06.15
申请国别(地区):
中国
年份:
2015
代理人:
罗东
摘要:
本实用新型公开了一种重楼根茎种植沟,属于中药种植栽培技术领域。该重楼根茎种植沟包括墒面(1)和重楼根茎(3),其特征在于:在墒面(1)上横向设有若干条深10-20cm的种植沟(2),相邻种植沟(2)之间的行距为15-18cm,所述的重楼根茎(3)按10-12cm的间距放置在种植沟(2)中,重楼根茎(3)上覆盖一层厚3-7cm的土层(4),土层(4)上再铺设一层厚5-7cm的干松叶层(5)。该实用新型具有种植密度合理、生长繁育良好、出苗率和成活率高、便于向种植户推广和普及等有益效果。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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