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一种重楼根茎种植墒
专利权人:
易门元源林农产品开发有限公司
发明人:
王万亮
申请号:
CN201520875537.2
公开号:
CN205142819U
申请日:
2015.11.05
申请国别(地区):
中国
年份:
2016
代理人:
摘要:
本实用新型涉及重楼种植领域,特别是一种重楼根茎种植墒。解决重楼生长过程中肥料的问题。一种重楼根茎种植墒,包括墒面、种植沟、土层和干松叶层,墒面上挖出来若干个种植沟,相邻种植沟间隔13-25cm,土层位于墒面上方,干松叶层位于土层上方,墒面向地心方向设置有底肥层,底肥层距离墒面50-75cm,底肥层厚度为10-12cm。更有方案为所述底肥层距离墒面60-70cm。具有种植密度合理、生长繁育良好、出苗率和成活率高、便于向种植户推广和普及等有益效果。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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