본 발명은 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 이 플라즈마 처리 장치는 제1 압력을 가지는 전자 방출 영역과 상기 제1 압력보다 높은 압력으로 유지되고 플라즈마가 생성되고 기판이 배치되는 처리 영역을 구비한 진공 용기; 상기 전자 방출 영역에 배치되고 열전자를 방출하는 열전자 방출 수단; 접지되고 상기 열전자 방출 수단에서 방출된 전자를 상기 처리 영역으로 추출하는 그리드 전극; 상기 진공 용기의 하부에 배치되고 상기 처리 영역에 배치되고 상기 기판을 장착하는 기판 홀더; 상기 기판 홀더에 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 RF 전원; 상기 전자 방출 영역과 연결되는 제1 진공 펌프; 및 상기 처리 영역에 연결되는 제2 진공 펌프를 포함한다.
