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酸化アンチモン膜の原子層堆積
- 专利权人:
- エーエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー．ＡＳＭ ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ Ｎ．Ｖ．
- 发明人:
- マテロ ライジャ,リンドルース リンダ,スプレイ ヘッセル,マエス ジャン ヴィレム,デ ロエスト デイヴィッド,ピエルー ディーター,ヴァン デル ジェウド キース,ドゥルゾ ルシア,ブロムバーグ トム イー．
- 申请号：
- JP20170143477
- 公开号：
- JP2018021259(A)
- 申请日:
- 2017.07.25
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】アンチモン反応物質および酸素ソースを使用して酸化アンチモン薄膜を原子層堆積によって堆積させるプロセスの提供。【解決手段】反応チャンバーの中で、基板をハロゲン化アンチモン、例えばＳｂＣｌ３、アンチモンアルキルアミン、およびアンチモンアルコキシド、例えばＳｂ（ＯＥｔ）３を含んでもよいアンチモン前駆体及びオゾンであってもよい酸素ソースと、交互にかつ逐次的に接触させることを含む、酸化アンチモンを堆積するための原子層堆積プロセス。また、この酸化アンチモン薄膜は、バッチ反応器の中で堆積される。この酸化アンチモン薄膜は、例えば、エッチング停止層または犠牲層としての役割を果たしてもよい。【選択図】図２Ｃ
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
