酸化ケイ素薄膜の高温原子層堆積
- 专利权人:
- バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー
- 发明人:
- ハリピン チャンドラ,ワン メイリャン,マンチャオ シャオ,シンジャン レイ,ロナルド マーティン パールステイン,マーク レオナルド オニール,ハン ビン
- 申请号:
- JP20150210441
- 公开号:
- JP6262702(B2)
- 申请日:
- 2015.10.27
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要:
- Atomic layer deposition (ALD) process formation of silicon oxide with temperature > 500°C is disclosed. Silicon precursors used have a formula of:
- 来源网站:
- 中国工程科技知识中心