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酸化ケイ素薄膜の高温原子層堆積
- 专利权人:
- エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡＩＲ ＰＲＯＤＵＣＴＳ ＡＮＤ ＣＨＥＭＩＣＡＬＳ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
- 发明人:
- ハリピン チャンドラ,ワン メイリャン,マンチャオ シャオ,シンジャン レイ,ロナルド マーティン パールステイン,マーク レオナルド オニール,ハン ビン
- 申请号：
- JP20160199245
- 公开号：
- JP2017028313(A)
- 申请日:
- 2016.10.07
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】５００℃超の温度による酸化ケイ素の原子層堆積プロセス形成を開示する。【解決手段】使用されるケイ素前駆体は、Ｒ1Ｒ2mＳｉ（ＮＲ3Ｒ4）nＸp（Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は水素、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基又はＣ6〜Ｃ10アリール基、Ｒ4は直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ6〜Ｃ10アリール基又はＣ3〜Ｃ10アルキルシリル基、Ｒ3とＲ4は連結するか又は連結せず、ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩ、ｍは０〜３、ｎは０〜２、ｐは０〜２、ｍ＋ｎ＋ｐ＝３）又はＲ1Ｒ2mＳｉ（ＯＲ3）n（ＯＲ4）qＸp（Ｒ1及びＲ2は水素、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基又はＣ6〜Ｃ10アリール基、Ｒ3及びＲ4は直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基又はＣ6〜Ｃ10アリール基、Ｒ3とＲ4は連結するか又は連結せず、ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩ、ｍは０〜３、ｎは０〜２、ｑは
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
