大豆胚轴小部位植换与超积温诱导育种
- 专利权人:
- 曲元翠
- 发明人:
- 曲元翠
- 申请号：
- CN201010517064.0
- 公开号：
- CN102037808A
- 申请日:
- 2010.10.25
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2011
- 代理人:
- 摘要：
- 大豆胚轴小部位植换与超积温诱导育种，属大豆种子改良与培育，选丰德4号大豆与小白豆在休眠期过后，用专利《200910136687.9》清水稀释后浸泡24小时做引动渗透处理，处理好后用铰刀在大豆的上胚轴与下胚轴中间铰出2-3毫米，直径50微米的孔一个，然后在白豆的同部位取出长2-3毫米直径50微的一段放入大豆孔内，作好后放入育苗箱做低温8-10℃炼芽，12-15天后播种，用本发明处理的大豆株高可达1.1米，干生15-18节，每节生夹4-7个，并可长出5个豆粒豆夹，且抗逆性好，抗病、抗倒伏，耐低温，生长活力强，提高产量10％-15％。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
