您的位置: 首页 > 农业专利 > 详情页

Photovoltaic device for stimulating cells and / or electrochemical reactions
专利权人:
Universität Hamburg Arbeitsstelle für Wissens- und Technologietransfer
发明人:
August Dorn,Daniel Diedrich,Robert Blick
申请号:
DE112017001412
公开号:
DE112017001412T5
申请日:
2017.03.14
申请国别(地区):
DE
年份:
2018
代理人:
摘要:
Vorrichtung (1) zur Stimulation von mindestens einer Zelle (2) und / oder zur Stimulation von mindestens einer elektrochemischen Reaktion, bestehend aus mindestens einem Halbleiter (3), der so gestaltet ist, dass elektromagnetische Strahlung (4) zu einer Ladungstrennung (5) führt, wobei der Halbleiter (3) eben ist, und die Vorrichtung umfasst weiterhin eine ebene Metallschicht (6), wobei die Metallschicht (6) eine Schottky-Barriere (7) und / oder einen Metall-Isolator-Halbleiter-Übergang zur Halbleiterschicht (3) bildet und der Halbleiter (3) und / oder die Metallschicht so gestaltet ist, dass bei Berührung die Bindung an eine Zelle (2) möglich ist, und / oder so, dass die Zelle (2) bei Berührung abgestoßen wird, um eine gerichtete oder nicht gerichtete Bindung an die Zelle zu begünstigen, und / oder so gestaltet ist, dass die elektrochemische Reaktion begünstigt wird, wenn die Vorrichtung (1) mit einem Lösungsmittel (11) in Berührung kommt.System (10) zur Stimulation einer Vielzahl von Punkten in einem Netz aus Zellen, das entsprechend der Erfindung eine Vielzahl von Vorrichtungen (1) umfasst, die in einem Lösungsmittel (11) verteilt sind.Verfahren (100-140, 210-240) für die Herstellung einer Vielzahl von Vorrichtungen (1) entsprechend der Erfindung.Desinfektions- oder Sterilisationsmittel und Medikament mit einer Vielzahl von Vorrichtungen entsprechend der Erfindung als aktiver Bestandteil.Device (1) for stimulating at least one cell (2) and / or for stimulating at least one electrochemical reaction, consisting of at least one semiconductor (3), which is designed so that electromagnetic radiation (4) leads to a charge separation (5). wherein the semiconductor (3) is plane, and the device further comprises a planar metal layer (6), wherein the metal layer (6) has a Schottky barrier (7) and / or a metal-insulator-semiconductor junction to the semiconductor layer ( 3) and the semiconductor (3) and / or the metal layer is designed such that upon contact the bind
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

意 见 箱

匿名:登录

个人用户登录

找回密码

第三方账号登录

忘记密码

个人用户注册

必须为有效邮箱
6~16位数字与字母组合
6~16位数字与字母组合
请输入正确的手机号码

信息补充