PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a semiconductor radiation image detector with high sensitivity and high energy-identification capability and having high image resolution, even with respect to high energy radiation such as high energy γ rays.SOLUTION: A p-type CdTe monocrystal layer 12 is epitaxially grown by using an MOVPE method and formed on a CdTe monocrystal wafer 11. Then, a p-type Si monocrystal substrate 14 is coated with conductive resin and stuck to the p-type CdTe monocrystal layer 12 on the CdTe monocrystal wafer to harden it. Further, an unjoined surface of the CdTe monocrystal wafer 11 and an unjoined surface of the p-type Si monocrystal substrate 14 are evaporated with Au to form electrodes 15 and 16. Thereafter, a groove 17 is formed having a depth reaching an inner part of the Si monocrystal substrate 14 from the electrode 16 side on the CdTe monocrystal wafer side, in an X direction and a Y direction respectively.COPYRIGHT: (C)2013,JPO&INPIT【課題】高エネルギーγ線等の高エネルギー放射線に対しても、高感度かつ高いエネルギー識別能力を有するとともに、高い画像分解能を備えた半導体放射線画像検出器を得るための製造方法を提供する。【解決手段】CdTe単結晶ウェーハ11上にp型CdTe単結晶層12をMOVPE法によりエピタキシャル成長させて形成する。次にp型Si単結晶基板14に導電性樹脂をコートし、前記CdTe単結晶ウェーハ上のp型CdTe単結晶層12と貼り合わせて硬化する。さらにCdTe単結晶ウェーハ11の非接合面およびSi単結晶基板14の非接合面にAuを蒸着して電極15および16を形成する。その後、溝17をCdTe単結晶ウェーハ側の電極16側よりSi単結晶基板14の内部に到達する深さで、X方向およびY方向にそれぞれ形成する。【選択図】図1
