一种锡锑氧化物导电膜的制造方法
- 专利权人:
- 潍坊润泰智能电气有限公司
- 发明人:
- 冷同桂
- 申请号：
- CN01115144.7
- 公开号：
- CN1367496A
- 申请日:
- 2001.07.14
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2002
- 代理人:
- 张曰俊
- 摘要：
- 本发明涉及一种锡锑氧化物导电膜的制造方法,以SnCl4的水溶液和SbCl3乙醇溶液为原料通过氨水沉淀,用草酸回溶,浓缩,制备成溶胶凝胶,经过陈化,在石英玻璃上高温喷涂,形成锡锑氧化物导电膜:本发明工艺简单、利用设备少,成本低,并且对环境污染轻:制造的锡锑氧化物导电膜结构致密,具有良好的导电性、高透光率、省时省电且热交换效率高。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
