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氧化锡锑纳米粉体的低温球磨制备方法
专利权人:
武汉理工大学
发明人:
张联盟,吴俊彦,陈斐,沈强,罗国强,王传彬
申请号:
CN201210582264.3
公开号:
CN103041896A
申请日:
2012.12.28
申请国别(地区):
中国
年份:
2013
代理人:
王守仁
摘要:
本发明涉及一种氧化锡锑纳米粉体的制备方法,即:以高纯氧化锡粉和氧化锑粉(纯度>99.9,粒度50~500目)作为初始原料,以锑元素与锡元素的原子比1:99~30:70配置原料,采用液氮作为球磨介质,氧化锆球作为研磨球,通过低温球磨,控制球磨时间为1~48小时,球磨转速为100~1000转/分钟,球料比为10:1~100:1,制备出高纯、低团聚、掺杂均匀、掺杂含量为1~30at.%、晶粒尺寸为10~100nm的氧化锡锑纳米粉体。本发明工艺简单,成本低廉,可用于工业化规模连续生产,且制备的氧化锡锑纳米粉体具有纯度高、团聚小、掺杂均匀可控等优点,可广泛应用于太阳能电池、红外吸收隔热材料等领域。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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