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検出器、PET装置及びX線CT装置
专利权人:
HAMAMATSU PHOTONICS KK
发明人:
FUJII YOSHIMARO,藤井 義磨郎,NAGANO TERUMASA,永野 輝昌,YAMAMURA KAZUHISA,山村 和久,SATO KENICHI,里 健一,TSUCHIYA RYUTARO,土屋 龍太郎
申请号:
JP2016084690
公开号:
JP2016192551A
申请日:
2016.04.20
申请国别(地区):
JP
年份:
2016
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a detector capable of improving characteristics such as time resolution in the entire detector and also to provide a PET device and X-ray CT device using the same.SOLUTION: A detector comprises first and second bump electrodes placed between a semiconductor chip and a wiring substrate. The conductor chip includes: a semiconductor substrate having a plurality of light detection parts two-dimensionally arranged and an insulation layer formed on the surface of the semiconductor substrate. The first bump electrode electrically connects a through electrode and the wiring substrate, and the second bump electrode electrically connects a first semiconductor region of APD and the wiring substrate. The quenching resistance includes SiCr.SELECTED DRAWING: Figure 14COPYRIGHT: (C)2017,JPO&INPIT【課題】検出器全体における時間分解能等の特性を改善可能な検出器及びこれを用いたPET装置及びX線CT装置を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体チップと配線基板との間に配置された第1及び第2バンプ電極を備えた検出器であって、半導体チップは、二次元状に配置された複数の光検出部を有する半導体基板と、半導体基板の表面上に形成された絶縁層と、を備え、第1バンプ電極は、貫通電極と配線基板とを電気的に接続しており、第2バンプ電極は、APDの第1半導体領域と配線基板とを電気的に接続しており、クエンチング抵抗は、SiCrを備える。【選択図】図14
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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