単結晶ニオブ酸窒化物膜を製造する方法、および単結晶ニオブ酸窒化物膜を用いて水素を生成する方法
- 专利权人:
- パナソニックＩＰマネジメント株式会社
- 发明人:
- 菊地 諒介,野村 幸生,羽藤 一仁,田村 聡,藏渕 孝浩
- 申请号：
- JP20160514200
- 公开号：
- JP2018502028(A)
- 申请日:
- 2015.10.06
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】水素生成デバイスに適した単結晶ニオブ酸窒化物膜を製造する方法を提供すること。【解決手段】本発明は、化学式ＮｂＯＮにより表されるニオブ酸窒化物から形成される単結晶ニオブ酸窒化物膜を製造する方法であって、以下の工程を具備する：（ａ）イットリア安定化ジルコニア基板、酸化チタン基板、および、イットリウム・アルミニウム複合酸化物基板からなる群から選択される１つの基板上に、前記単結晶ニオブ酸窒化物膜をエピタキシャル成長させる工程。【選択図】なし
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
