降低铜制程化学机械研磨的缺陷与研浆残留的方法
- 专利权人:
- 台湾积体电路制造股份有限公司
- 发明人:
- 陈启群,张文,陈世昌
- 申请号：
- CN02119353.3
- 公开号：
- CN1218369C
- 申请日:
- 2002.05.13
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2005
- 代理人:
- 赵蓉民`王刚
- 摘要：
- 一种降低铜制程化学机械研磨的缺陷与研浆残留的方法。此方法包含，利用研浆进行晶片研磨，再利用去离子水研磨及清洗晶片的表面，再将晶片升起，以去离子水由下向上的方向清洗晶片的表面消除晶片表面的研浆残留，降下晶片并利用去离子水再次研磨及清洗晶片。本发明的方法，大幅降低铜制程的化学机械研磨制造方法中的研浆残留的问题，使得生产品质大幅的提高，生产的成本因而降低，产量得以大幅的提高。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
