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Slanted Multi-loop Ion Source Ion Beam Processing Apparatus and Ion Beam Sputtering Apparatus therewith
- 专利权人:
- (주)화인솔루션
- 发明人:
- 허윤성,황윤석
- 申请号：
- KR20130131434
- 公开号：
- KR101817220(B1)
- 申请日:
- 2013.10.31
- 申请国别(地区):
- 韩国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 경사진 이온 소스로서, 피처리물을 향하는 일측은 개방되고 타측은 폐쇄 또는 개방되며, 일측에는 중앙 자극과 외측 자극이 이격 배치되고, 타측은 중앙 자극과 외측 자극이 자심으로 연결되며, 중앙 자극의 하단에 자석을 구비하여, 일측에서 플라즈마 전자의 가속 루프를 형성하며, 중앙 자극의 중앙부가 소정 각도로 경사진 자기장부를 포함하여, 공정 챔버 내의 플라즈마 전자를 루프로 회전시켜 공정 챔버 내의 내부 가스로부터 플라즈마 이온을 생성하여 피처리물에 경사지게 공급한다.
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
