スズ金属ターゲットを利用したスズ酸化物層の形成方法
- 专利权人:
- アールエフトロン カンパニー リミテッドＲＦＴＲＯＮ ＣＯ．，ＬＴＤ．
- 发明人:
- チャ・ククリン,イム・ジソン
- 申请号：
- JP20160521342
- 公开号：
- JP2017504178(A)
- 申请日:
- 2015.11.25
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明は、スズ金属ターゲットを利用してガラス基板の上にスズ酸化物層を形成するスズ金属ターゲットを利用したスズ酸化物層の形成方法に関する。本発明は、ガラス基板の上にスズ金属ターゲットを利用したスパッタリングでスズ酸化物バッファー層（ＳｎＯ２）を形成する段階と、スズ酸化物バッファー層上にスズ金属ターゲットを利用したスパッタリングでスズ酸化物半導体層（ＳｎＯ２−ｘ）（０＜ｘ≦０．０１）を形成する段階とを含むスズ金属ターゲットを利用したスズ酸化物層の形成方法を提供する。【選択図】 図１
- 来源网站：
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