スズ金属ターゲットを利用したスズ酸化物層の形成方法

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专利权人:

アールエフトロン カンパニー リミテッドＲＦＴＲＯＮ ＣＯ．，ＬＴＤ．

发明人:

チャ・ククリン,イム・ジソン

申请号：

JP20160521342

公开号：

JP6272469(B2)

申请日:

2015.11.25

申请国别(地区):

日本

年份:

2018

代理人:

摘要：

Provided is a method of forming a tin oxide layer using a tin metal target which forms the tin oxide layer on a glass substrate using the tin metal target. The present invention provides the method of forming a tin oxide layer using a tin metal target, which includes forming a tin oxide buffer layer (SnO 2 ) on the glass substrate by sputtering using the tin metal target and forming a tin oxide (SnO 2-x ) semiconductor layer (0 < x ‰¤ 0.01) on the tin oxide buffer layer by sputtering using the tin metal target.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/