金属酸化物半導体層の電気伝導性を増加させる方法

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专利权人:

アイメック・ヴェーゼットウェーＩＭＥＣ ＶＺＷ;ネーデルランツェ・オルガニザーティ・フォール・トゥーヘパストナトゥールウェテンシャッペレイク・オンダーズーク・テーエヌオー

发明人:

ロベルト・ミュラー

申请号：

JP20150510711

公开号：

JP6077109(B2)

申请日:

2013.04.23

申请国别(地区):

日本

年份:

2017

代理人:

摘要：

A method for increasing the electrical conductivity of a metal oxide semiconductor layer at predetermined locations, wherein the method comprises: providing a reducing agent in physical contact with the metal oxide semiconductor layer at the predetermined locations and inducing a chemical reduction reaction between the reducing agent and the metal oxide semiconductor layer, thereby affecting the chemical composition of the metal oxide semiconductor layer at the predetermined locations; and uses of the method.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/