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プラズマ処置システム
专利权人:
オリンパス株式会社
发明人:
石川 学,木村 修一,渡辺 宏一郎
申请号:
JP2015544260
公开号:
JP5897230B1
申请日:
2015.03.27
申请国别(地区):
JP
年份:
2016
代理人:
摘要:
Plasma treatment system (1) includes jetting port (18), suction ports (19) and a first electrode (15) and a second electrode (16), the impedance acquisition unit (201), the liquid amount adjustment It comprises parts (5), the first control section (203). The first electrode (15) and a second electrode (16) is configured to generate a plasma for treating a living tissue by a voltage is applied. Impedance acquisition unit (201) acquires an impedance of between said first electrode and said second electrode. Liquid amount adjusting unit (5) adjusts the supply amount or suction amount of the conductive solution. The first control unit (203), based on the impedance, which controls the liquid amount adjusting unit so as to decrease the supply amount or suction amount of the conductive solution.プラズマ処置システム(1)は、噴出口(18)と、吸引口(19)と、第1の電極(15)及び第2の電極(16)と、インピーダンス取得部(201)と、液量調整部(5)と、第1の制御部(203)とを備える。第1の電極(15)及び第2の電極(16)は、電圧が印加されることで生体組織を処置するためのプラズマを発生するように構成されている。インピーダンス取得部(201)は、前記第1の電極と前記第2の電極との間に係るインピーダンスを取得する。液量調整部(5)は、前記導電性溶液の供給量又は吸引量を調整する。第1の制御部(203)は、インピーダンスに基づいて、導電性溶液の供給量又は吸引量を増減させるように前記液量調整部を制御する。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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