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PARTICLE BEAM IRRADIATION SYSTEM AND CHARGED PARTICLE BEAM CORRECTING METHOD
专利权人:
가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼; LTD.);KABUSHIKI KAISHA HITACHI SEISAKUSHO(D/B/A HITACHI;KABUSHIKI KAISHA HITACHI SEISAKUSHO(D
发明人:
NISHIUCHI HIDEAKI,니시우찌 히데아끼,FUJITAKA SHINICHIRO,후지따까 신이찌로
申请号:
KR1020120122127
公开号:
KR1020130047675A
申请日:
2012.10.31
申请国别(地区):
KR
年份:
2013
代理人:
摘要:
PURPOSE: A corpuscular radiation treatment system and a charged particle beam compensation method are provided to increase beam efficiency by not decreasing uniformity of irradiation. CONSTITUTION: A synchrotron(13) accelerates and emits ion beam(10). An irradiator(30) irradiates the ion beam emitted from the synchrotron. An accumulated beam charge measurement unit(15) measures accumulated beam charge in the synchrotron. A target current configuration unit sets up a target beam current value emitted from the synchrotron based on the accumulated beam charge measured in the accumulated beam charge measurement unit. An emitted beam current correction control unit controls beam current based on a target value of the emitted beam current calculated from the target current configuration unit.본 발명의 과제는, 조사선량 균일도를 저하시키지 않고 빔 이용 효율을 높일 수 있는 입자선 조사 시스템을 제공하는 것이다.이온 빔(10)을 가속하여 출사하는 싱크로트론(13)과, 싱크로트론(13)으로부터 출사된 이온 빔(10)을 조사하는 조사 장치(30)를 갖고, 조사 장치(30)로부터 1단위의 조사를 복수 회 행하는 입자선 조사 시스템에 있어서, 싱크로트론(13) 내의 축적 빔 전하량(Qmeas)을 계측하는 축적 빔 전하량 계측 수단(15)과, 축적 빔 전하량 계측 수단에서 계측한 축적 빔 전하량(Qmeas)에 기초하여, 싱크로트론(13)으로부터 출사하는 목표 빔 전류값(Ifb)을 설정하는 목표 전류 설정 수단과, 상기 목표 전류 설정 수단으로부터 구해진 출사 빔 전류의 목표값(Ifb)에 기초하여 빔 전류를 제어하는 출사 빔 전류 보정 제어 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 입자선 조사 시스템.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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