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초음파 프로브 및 그 제조방법
专利权人:
发明人:
KIM, DONG HYUN,김동현
申请号:
KR1020110133372
公开号:
KR1012694590000B1
申请日:
2011.12.13
申请国别(地区):
KR
年份:
2013
代理人:
摘要:
PURPOSE: An ultrasound probe and a manufacturing method thereof are provided to change acoustic impedance in the entire region of a backing layer and to prevent the side lobe of an ultrasonic beam.CONSTITUTION: A backing layer(12) is installed in the rear surface of a piezoelectric layer. A kerf(15) is formed in the front surface of the backing layer in a longitudinal direction. The depth(c) and the width of the kerf have preset values. The depth of the kerf is less than 1 mm. A gap(a) between the kerfs formed on side area is greater than a gap(b) formed on a center part.COPYRIGHT KIPO 2013[Reference numerals] (AA) Gap between kerfs음향 임피던스를 가변할 수 있는 구조를 가지는 흡음층을 포함하는 초음파 프로브 및 그 제조방법을 제공한다. 초음파 프로브는 압전층 및 압전층의 후면에 설치되는 흡음층을 포함하고, 흡음층은 그 전면에 길이방향으로 형성되는 복수의 커프를 포함하고, 복수의 커프는, 커프 사이의 간격이 서로 다르도록 형성된다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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