In this production method for an ultrasonic probe, both damage control and operational reliability are maintained when assembling an ultrasonic probe using a chip having a capacitive ultrasonic transducer formed thereon. In a semiconductor substrate having formed on a first main surface thereof a capacitive ultrasonic transducer (CMUT), a protective film is formed on surface of the ultrasonic transducer that is formed on the first main surface of the semiconductor substrate, the semiconductor substrate is made into a thin film by polishing a second main surface that is opposite the first main surface of the semiconductor substrate, an ultrasonic transducer chip is cut out from the semiconductor substrate, a sound absorbing material is arranged on the surface that is opposite the surface on which the ultrasonic transducer is formed, and the protective layer that is formed on the surface of the ultrasonic transducer is removed.La présente invention se rapporte à un procédé pour la fabrication dune sonde à ultrasons. Dans le procédé selon linvention, un contrôle de la détérioration et une fiabilité opérationnelle sont maintenus lors de lassemblage dune sonde à ultrasons au moyen dune puce dotée dun transducteur à ultrasons capacitif qui est formé sur elle. Dans un substrat semi-conducteur sur une première surface principale duquel un transducteur à ultrasons capacitif (CMUT) est formé, une couche mince de protection est formée sur une surface du transducteur à ultrasons qui est formé sur la première surface principale du substrat semi-conducteur. Le substrat semi-conducteur est réalisé sous la forme dune couche mince en polissant une seconde surface principale qui est opposée à la première surface principale du substrat semi-conducteur. Une puce de transducteur à ultrasons est découpée dans le substrat semi-conducteur un matériau à absorption des sons est placé sur la surface qui est opposée à la surface sur laquelle le transducteur à ultrasons est formé et la couche
