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静電容量型トランスデューサ及びその作製方法
专利权人:
CANON INC
发明人:
HASEGAWA YOSHIHIRO,長谷川 義大
申请号:
JP2013185797
公开号:
JP2015051175A
申请日:
2013.09.08
申请国别(地区):
JP
年份:
2015
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a capacitance type transducer improved in flexibility of a design by allowing determination of a thickness of a vibration membrane regardless of a thickness of a sacrifice layer, and to provide a method for manufacturing the same, or the like.SOLUTION: A capacitance type transducer includes a cell 15 having a structure in which a vibration membrane 13 including a second electrode 12 provided in a state that the second electrode 12 and a first electrode 3 interpose a gap 9, is vibratably supported. By forming a sacrifice layer 5 on the first electrode, forming the vibration membrane on the sacrifice layer, forming an etching hole 8, removing the sacrifice layer, and forming a sealing layer 11 sealing the etching hole, the transducer can be manufactured. At that time, insulating films 6, 11 covering the sacrifice layer are formed, at least a part of a portion overlapping the gap in orthogonal projection to the first electrode side of the insulating film is removed by etching, and thereafter the vibration membrane 13 is formed.COPYRIGHT: (C)2015,JPO&INPIT【課題】犠牲層の厚さに関わらず振動膜の厚さを決めることができ、設計の自由度を向上させられる静電容量型トランスデューサ、その作製方法等を提供する。【解決手段】静電容量型トランスデューサは、第一の電極3と間隙9を挟んで設けられた第二の電極12を含む振動膜13が振動可能に支持された構造のセル15を有する。このトランスデューサは、第一の電極上に犠牲層5を形成し、犠牲層上に振動膜を形成し、エッチングホール8を形成して犠牲層を除去し、エッチングホールを封止する封止層11を形成することで作製できる。この際、犠牲層を覆う絶縁膜6、11を形成し、絶縁膜の第一の電極側への正射影において間隙に重なる部分の少なくとも一部をエッチングにより除去した後に、振動膜13を形成する。【選択図】図1
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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