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静電容量型トランスデューサ、及びその作製方法
专利权人:
CANON INC
发明人:
HASEGAWA YOSHIHIRO,長谷川 義大,TOMIYOSHI TOSHIO,冨吉 俊夫
申请号:
JP2013120666
公开号:
JP2014236840A
申请日:
2013.06.07
申请国别(地区):
JP
年份:
2014
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To improve reliability in sealing of a capacitive transducer.SOLUTION: A capacitive transducer comprises a cell including a first electrode 3 and a vibration membrane 17 including a second electrode 7 which is provided while opposing the first electrode 3 with a cavity 8 interposed therebetween. A height of a gap 9 around a sealing part 11 sealing an etching opening 13 provided for forming the cavity 8 through sacrifice layer etching is lower than that of the cavity 8. A manufacturing method of the capacitive transducer includes reducing a height of a portion of a sacrifice layer that becomes the gap, rather than that of a portion of a sacrifice layer to be the cavity in the step of forming the sacrifice layers for forming the cavity and the gap communicated with the cavity via an etching channel.COPYRIGHT: (C)2015,JPO&INPIT【課題】静電容量型トランスデューサの封止の信頼性を向上させることである。【解決手段】静電容量型トランスデューサは、第一の電極3と、キャビティ8を介して第一の電極3と対向して設けられた第二の電極7を含む振動膜17と、を有するセルを備える。犠牲層エッチングによりキャビティ8を形成するために設けられたエッチング開口部13を封止している封止部11の周囲の間隙9の高さは、キャビティ8の高さよりも低い。その作製方法では、キャビティ及びエッチング流路を介してキャビティと繋がった間隙を形成するための犠牲層を形成する工程において、間隙になる犠牲層の部分の高さを、キャビティになる犠牲層の部分の高さより低くする。【選択図】図1
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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