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静電容量型トランスデューサ、及びその製造方法
专利权人:
CANON INC
发明人:
MARUYAMA AYAKO,丸山 綾子,SETOMOTO YUTAKA,▲瀬▼戸本 豊,TSUNODA TAKAYUKI,角田 隆行
申请号:
JP2017087517
公开号:
JP2018186409A
申请日:
2017.04.26
申请国别(地区):
JP
年份:
2018
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a sacrificial layer type CMUT in which a sacrifice layer type etching opening is sufficiently sealed while an etching rate is hardly reduced.SOLUTION: A method for manufacturing a sacrificial layer type CMUT is provided. At least a part of a side surface of a sacrifice layer forms a taper from one main surface of the sacrifice layer toward the other main surface. An etching opening portion is provided in at least a part of a region provided on the taper of the sacrificial layer out of an insulating film.SELECTED DRAWING: Figure 3COPYRIGHT: (C)2019,JPO&INPIT【課題】 犠牲層型のエッチング開口部の封止を十分に行いつつ、エッチング速度が低減しにくい、犠牲層型のCMUTの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 犠牲層型のCMUTの製造方法であって、犠牲層の側面の少なくとも一部は、犠牲層の一方の主面から他方の主面に向かってテーパーを形成しており、エッチング開口部は、絶縁膜のうち、犠牲層のテーパーの上に設けられた領域の少なくとも一部に設けられる。【選択図】 図3
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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