一种利用高压晶化钛酸铋系铁电薄膜的方法
- 专利权人:
- 黑龙江省科学院高技术研究院
- 发明人:
- 刘洪成,于倩,王珏,何冬青,张晓臣,张伟君
- 申请号：
- CN201410735370.X
- 公开号：
- CN104538176A
- 申请日:
- 2014.12.05
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 王艳萍
- 摘要：
- 一种利用高压晶化钛酸铋系铁电薄膜的方法，本发明涉及铁电薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的方法制备钛酸铋系铁电薄易产生缺陷，难以与当前半导体材料进行集成的技术问题。本方法：一、按Bi4-xLnxTi3O12(Ln＝La，Nd或Gd)的化学计量比配制前驱体溶胶；二、将前驱体溶胶滴在衬底上涂湿膜、干燥后，在衬底上得到无定形态铁电薄膜；三、将涂覆薄膜的衬底放入高压反应釜中，在压力为20～30MPa的条件下晶化，得到钛酸铋系铁电薄膜。本方法制备的钛酸铋系铁电薄膜可与半导体材料集成，应用在计算机、航空航天和军工等领域。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
