CHOSUN UNIVERSITY;INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION
发明人:
CHOE HAN CHEOL,최한철
申请号：
KR1020170159286
公开号：
KR1019062580000B1
申请日:
2017.11.27
申请国别(地区):
KR
年份:
2018
代理人:
摘要：
The present invention relates to a method for manufacturing a dental implant. More specifically, the present invention relates to a method for manufacturing a dental implant using an anodizing method and a plasma electrolytic oxidation method, which anodizes a titanium alloy to form a nanotube array layer, and then performs plasma electrolytic oxidation treatment to increase the surface roughness, maximize formation of a functional element material, and increase formation of anatase phase, thereby enhancing biocompatibility.본 발명은 치과 임플란트의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 티타늄계 합금에 양극 산화처리하여 나노튜브 어레이 층을 형성시킨 다음, 플라즈마 전해 산화처리함으로써, 표면 거칠기를 증대시키고, 기능성 원소 물질의 형성을 극대화하며, 아나타제상의 형성을 증대시킬 수 있어, 생체적합성을 향상시킬 수 있는 양극 산화법과 플라즈마 전해 산화법을 이용한 치과 임플란트의 제조방법에 관한 것이다.
