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具有穿透基板通孔(TSV)的电容式微加工超声换能器(CMUT)器件
专利权人:
德克萨斯仪器股份有限公司
发明人:
P·B·约翰逊,I·O·伍感特
申请号:
CN201480010856.5
公开号:
CN105025802A
申请日:
2014.02.27
申请国别(地区):
CN
年份:
2015
代理人:
摘要:
一种电容式微加工超声换能器(CMUT)器件100,该器件包括至少一个CMUT单元101a,其包括具有顶部的第一衬底101,该顶部上包括图案化介电层,该图案化介电层包括厚介电区106和薄介电区107。隔膜层120b接合在该厚介电区上并且在薄介电区上方以在微机电系统(MEMS)腔114上方提供可移动隔膜。穿透衬底通孔(TSV)111包括介电衬垫,其从第一衬底的底部延伸到所述隔膜层的顶部表面。顶部金属层161包括TSV上方、可移动隔膜上方的第一部分,并且将TSV耦合到可移动隔膜。图案化的金属层167在第一衬底的底部表面上,包括与对TSV侧向的第一衬底的底部接触的第一图案化的层部分。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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