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用于半导体晶片的气密导电馈通件
专利权人:
美敦力公司
发明人:
D·A·卢本,M·S·莎德林
申请号:
CN201480055724.4
公开号:
CN105611966A
申请日:
2014.10.09
申请国别(地区):
CN
年份:
2016
代理人:
摘要:
一种玻璃晶片具有内部表面和隔开晶片厚度的相对的外部表面。气密的导电馈通件穿过晶片从内部表面延伸至相对的外部表面。馈通件包括馈通件构件,该馈通件构件具有沿着内部表面暴露的用于电耦合至电路的内部面。馈通件构件从内部面部分地穿过晶片厚度延伸至气密地嵌入在晶片内的面向外的外部面。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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