一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件
- 专利权人:
- 深圳光启创新技术有限公司
- 发明人:
- 刘若鹏,栾琳,郭洁,余铨强
- 申请号：
- CN201210052097.1
- 公开号：
- CN103296465B
- 申请日:
- 2012.03.01
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件,负磁导率超材料包括基板及多个周期性阵列排布在基板两侧的第一人造微结构和第二人造微结构,第一人造微结构和第二人造微结构通过一个金属过孔相连,第一人造微结构和第二人造微结构上覆有保护层,第一人造微结构和第二人造微结构为一方形螺绕环。采用本发明可以大大降低超材料的谐振频率,另外,由于超材料中的人造微结构为磁性微结构,通过设计磁性微结构在负磁导率条件下的频率与MRI成像设备工作频率相同时,能使接收线圈接收到的磁信号得到增强,从而增强成像效果,制成MRI磁信号增强器件,对于超材料产业的发展具有重要意义。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
