一种超材料及MRI磁信号增强器件
- 专利权人:
- 深圳光启创新技术有限公司
- 发明人:
- 刘若鹏,栾琳,郭洁,余铨强
- 申请号：
- CN201210093560.7
- 公开号：
- CN103367924A
- 申请日:
- 2012.03.31
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供一种超材料，包括多个阵列排布的超材料单元，超材料单元由三层基板和四个人造微结构组成，基板与人造微结构间隔层叠排列，相邻两个人造微结构通过金属过孔相连，人造微结构为方形螺绕环。该超材料具有高负磁导率，基于该高负磁导率超材料，本发明还提供一种MRI磁信号增强器件，MRI磁信号增强器件利用负磁导率超材料的磁导率为负这一特性，达到信号增强的效果，使MRI成像设备成像效果更好。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
