一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件
- 专利权人:
- 深圳光启创新技术有限公司
- 发明人:
- 刘若鹏,栾琳,郭洁,马伟涛
- 申请号：
- CN201210052105.2
- 公开号：
- CN103296466B
- 申请日:
- 2012.03.01
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件，负磁导率超材料包括基板以及周期性阵列排布在基板两侧的多个人造微结构，人造微结构由呈环形阵列排布的两个第一人造微结构单元和两个第二人造微结构单元组成，每个人造微结构单元由两个斜边互相正对的直角三角螺绕环组成。采用本发明可以有效降低超材料的谐振频率，另外，本发明负磁导率超材料在MRI磁信号增强器件中具有较大应用，由于超材料中的人造微结构为磁性微结构，通过设计磁性微结构在负磁导率条件下的频率与MRI成像设备工作频率相同时，能使接收线圈接收到的磁信号得到增强，从而增强成像效果，本发明具有良好的开发与应用前景。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
