An imaging device 1 is equipped with a silicon layer 10, a rewiring layer 20 that includes an insulator having a dielectric constant lower than that of silicon oxide, and a cover glass 40. A cutout portion 19 is made in the silicon layer 10, the cutout portion 19 having wiring 14. At least a portion of the low-dielectric constant rewiring layer 20 exposed in the cutout portion 19 is not covered by the wiring 14. The cutout portion 19 is covered by a second protective film 60 formed from a metal material, over a first protective film 50 formed from an insulating material.Un dispositif dimagerie 1 est équipé dune couche de silicium 10, dune couche de recâblage 20 qui comprend un isolant ayant une constante diélectrique inférieure à celle de loxyde de silicium, et dun verre de protection 40. Une partie découpée 19 est réalisée dans la couche de silicium 10, la partie découpée 19 ayant un câblage 14. Au moins une partie de la couche de recâblage à faible constante diélectrique 20 exposée dans la partie découpée 19 nest pas recouverte par le câblage 14. La partie découpée 19 est recouverte par un second film protecteur 60 formé à partir dun matériau métallique, sur un premier film protecteur 50 formé à partir dun matériau isolant.撮像装置1は、シリコン層10と、酸化シリコンよりも低誘電率の絶縁体を含む再配線層20と、カバーガラス40と、を具備し、シリコン層10に、切り欠き部19があり、切り欠き部19に配線14を有し、配線14が、切り欠き部19に露出している再配線層20の低誘電率の絶縁体の少なくとも一部を覆っておらず、切り欠き部19が、絶縁材料からなる第1の保護膜50を介して、金属材料からなる第2の保護膜60で覆われている。
