The present invention refers to a photosensitive pixel structure (10) comprising a substrate (15) with a front surface and a back surface, wherein at least one photosensitive diode (12, 12′) is provided on one of the surfaces of the substrate (15). A first material layer (30) is provided at least partially on the back surface of the substrate (15), wherein the material layer (30) comprises a reflective layer, in order to increase a reflectivity at the back surface of the substrate. Further, the present invention refers to an array (1) and an implant comprising such a photosensitive pixel structure (10), as well as to a method to produce the pixel structure (10).La présente invention se rapporte à une structure de pixels photosensibles (10) comprenant un substrat (15) avec une surface avant et une surface arrière, au moins une diode photosensible (12, 12') étant prévue sur l'une des surfaces du substrat (15). Une première couche de matériau (30) est fournie au moins partiellement sur la surface arrière du substrat (15), la couche de matériau (30) comprenant une couche réfléchissante, de manière à augmenter une réflectivité au niveau de la surface arrière du substrat. En outre, la présente invention se rapporte à un réseau (1) et à un implant comprenant une telle structure de pixels photosensibles (10), ainsi qu'un procédé pour produire la structure de pixels (10).
