This invention relates to a process for the preparation of III-form crystal of Te mocha ruffle hydrochloride , more particularly powder X-ray diffraction (XRD) 2 diffraction angle in the analysis of 3.7 0.1 , 7.4 0.1 , 11.2 0.1 , 14.6 0.1 , 18.4 0.1 , 20.2 0.1 of the diffraction pattern showing a rim mocha ruffle relates to a process for the production of type III crystal of the hydrochloride .본 발명은 테모카프릴 염산염의 III형 결정의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 분말 X선 회절(XRD)분석에서 2θ 회절각이 3.7±0.1°, 7.4±0.1°, 11.2±0.1°, 14.6±0.1°, 18.4±0.1°, 20.2±0.1°의 회절 패턴을 나타내는 테모카프릴 염산염의 III형 결정의 제조방법에 관한 것이다.