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高软化点的超支化聚碳硅烷及其制备方法
- 专利权人:
- 南昌嘉捷天剑新材料有限公司
- 发明人:
- 吴宝林,侯振华
- 申请号：
- CN201711447205.4
- 公开号：
- CN108129665A
- 申请日:
- 2017.12.27
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 高江玲
- 摘要：
- 本发明涉及高软化点的超支化聚碳硅烷及其制备方法，所述方法包括如下步骤：将甲基乙烯硅硼烷溶于异丙醇中，蒸馏并收集90℃～120℃的馏分；向所述馏分中通入氯气，然后升温至80℃～90℃，得预氧化的产物；将预氧化的产物与硼砂混合后溶于二甲苯溶剂中，然后微波加热，得聚甲基乙烯硅硼烷；向上述产物中加入金属镁粉末，制备得到液态聚硅烷；将其和铂混合后通过紫外光活化合成粗产物；将其溶于异丙醇中减压蒸馏，得到高软化点的超支化聚碳硅烷。本发明的高软化点的超支化聚碳硅烷的制备方法，通过预氧化处理和梯度升温方式增大产物的交联程度，通过控制温度、压强和时间，合成高软化点的产物，在航空航天、军工等领域有可观的发展前景。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
