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一种基于遗传算法的SEDC控制器参数优化方法及系统
- 专利权人:
- 神华集团有限责任公司;神华国能集团有限公司;内蒙古蒙东能源有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司;华北电力大学
- 发明人:
- 余耀,毛讯,苏起,白继亮,张晋宇,王昊,麻亚东,肖仕武,吴延龙,常富杰
- 申请号：
- CN201510622804.X
- 公开号：
- CN105262115A
- 申请日:
- 2015.09.25
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 顾问`肖冰滨
- 摘要：
- 本发明涉及电力系统控制领域，公开了一种基于遗传算法的SEDC控制器参数优化方法及系统，所述方法包括：采用遗传算法优化SEDC控制器的相移环节的相移角度，确定最优相移角度。还包括：在不考虑励磁系统输出限幅的条件下优化SEDC控制器的增益环节的增益参数，和在考虑励磁系统输出限幅的条件下优化SEDC控制器的增益环节的增益参数，并将两种条件下优化得到增益参数的较小值作为最优增益参数。本发明通过遗传算法优化相移角度，综合比较不考虑励磁系统限制和考虑励磁系统限幅环节两种情况，优化增益参数，最终确定SEDC控制器的相移和增益最优参数，使SEDC抑制次同步振荡的效果最佳。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
