METAL LANDING ON TOP ELECTRODE OF RRAM

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专利权人:

타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人:

창 치양,추 웬팅

申请号：

KR20160009321

公开号：

KR20170049337(A)

申请日:

2016.01.26

申请国别(地区):

韩国

年份:

2017

代理人:

摘要：

일부 실시예는 메모리 셀을 포함하는 집적 회로에 관한 것이다. 집적 회로는, 반도체 기판 및 반도체 기판 위에 배치된 상호접속 구조물을 포함한다. 상호접속 구조물은, 교호 방식으로 서로 위에 적층되어 있는 복수의 유전체 층들과 복수의 금속 층들을 포함한다. 복수의 금속 층들은 하부 금속 층 및 하부 금속 층 위에 배치된 상부 금속 층을 포함한다. 하부 전극이 하부 금속 층 위에 배치되고 이와 전기적 접촉한다. 데이터 스토리지 층이 하부 전극의 상면 위에 배치된다. 상부 전극이 데이터 스토리지 층의 상면 위에 배치되고 상부 금속 층의 하면과 직접 전기적 접촉한다.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/