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Low voltage, low power MEMS transducer with direct interconnect capability
专利权人:
イーエックスオー イメージング インコーポレイテッド
发明人:
ハク,ユスフ,アッカラジュ,サンディープ,ブライゼック,ヤヌス,バーカムショウ,ブライアン
申请号:
JP2019550546
公开号:
JP2020513291A
申请日:
2017.11.30
申请国别(地区):
JP
年份:
2020
代理人:
摘要:
The transceiver (210) includes an array of pMUT elements (302), each pMUT (302) element disposed on a substrate (1030), a membrane (1034) suspended from the substrate (1030), a membrane (1034). A lower electrode (1002), a piezoelectric layer (1010) disposed on the lower electrode (1002), and a first electrode (1008) disposed on the piezoelectric layer (1010). Each pMUT element exhibits one or more vibration modes.トランシーバ(210)は、pMUT素子(302)のアレイを含み、各pMUT(302)素子は、基板(1030)、基板(1030)から懸架される膜(1034)、膜(1034)上に配置される下部電極(1002)、下部電極(1002)上に配置される圧電層(1010)、および圧電層(1010)上に配置される第一電極(1008)を含む。各pMUT素子は、一つまたは複数の振動モードを示す。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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