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PIEZOELECTRIC MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCERS WITH LOW STRESS SENSITIVITY AND METHODS OF FABRICATION
专利权人:
INC.;CHIRP MICROSYSTEMS
发明人:
GUEDES, Andre,PRZYBYLA, Richard,SHELTON, Stefon,KIANG, Meng-Hsiung,HORSLEY, David
申请号:
USUS2015/066906
公开号:
WO2016/106153A1
申请日:
2015.12.18
申请国别(地区):
US
年份:
2016
代理人:
摘要:
A piezoelectric micromachined ultrasonic transducer (pMUT) device may include a piezoelectric membrane transducer designed to have lower sensitivity to residual stress and reduced sensitivity to geometric variations arising from the backside etching process used to release the membrane. These designs allow some of its key feature to be adjusted to achieve desired characteristics, such as pressure sensitivity, natural frequency, stress sensitivity, and bandwidth.La présente invention concerne un dispositif de transducteur ultrasonique micro-usiné piézoélectrique (pMUT) pouvant comprendre un transducteur à membrane piézoélectrique conçu de manière à avoir une sensibilité inférieure à une contrainte résiduelle et une sensibilité réduite aux variations géométriques provenant du procédé de gravure de côté arrière utilisé pour libérer la membrane. Ces conceptions permettent à certaines de ses caractéristiques clés d'être réglées de façon à obtenir des caractéristiques souhaitées, telles que la sensibilité à la pression, la fréquence naturelle, la sensibilité à la contrainte, et la largeur de bande.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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