Provided is a method for forming an apatite film, comprising the steps of: making a precursor solution containing Ca2+ ions and PO43- ions come into direct contact with at least some of a region of a substrate； emitting lasers at the region on the substrate, which comes into direct contact with the precursor solution, by allowing the laser to pass through the precursor solution； and forming apatite on the region at which lasers have emitted.L'invention concerne un procédé de formation d'un film d'apatite, comprenant les étapes consistant à : faire entrer une solution de précurseur contenant des ions Ca2+ et des ions PO43- en contact direct avec au moins une partie d'une région d'un substrat ； émettre des lasers au niveau de la région sur le substrat, qui vient en contact direct avec la solution de précurseur, en laissant le laser traverser la solution de précurseur ； et former de l'apatite sur la région sur laquelle les lasers ont émis.기판의 적어도 일부 영역에 Ca 2+ 이온 및 PO 43- 이온을 포함하는 전구체 용액을 직접 접촉시키는 단계, 상기 전구체 용액을 통과하여 상기 전구체 용액과 직접 접촉되는 기판 상의 영역으로 레이저를 조사하는 단계, 및 상기 레이저가 조사된 영역에 아파타이트를 형성하는 단계를 포함하는, 아파타이트 피막 형성 방법을 제공한다.
