エッチング処理および蒸着処理のためのコンピュータアドレス可能なプラズマ密度修正
- 专利权人:
- ラム リサーチ コーポレーションＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
- 发明人:
- アイバン・エル．・ベリー
- 申请号：
- JP20160217694
- 公开号：
- JP2017103454(A)
- 申请日:
- 2016.11.08
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】基板表面の近くにおいて微細で局所的な空間分解されたプラズマ密度制御を提供する。【解決手段】フェーズドアレイのマイクロ波アンテナを用いて処理チャンバ内の半導体基板上での反応速度を修正する方法であって、処理チャンバ内でプラズマを励起する工程と、マイクロ波アンテナのフェーズドアレイ１０１からマイクロ波放射ビーム１１０を放射する工程と、処理チャンバ内の半導体基板の表面１２０上での反応速度を変化させるように、ビームをプラズマに方向付ける工程と、を備える。【選択図】図１Ａ
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
