Direktkonvertierender Röntgenstrahlungsdetektor (C3, C5), insbesondere zur Verwendung in CT-Systemen (C1), zumindest aufweisend:1.1. ein zur Detektion von Röntgenstrahlung verwendetes Halbleitermaterial (HL),dadurch gekennzeichnet, dass1.2. mehrere von der Röntgenstrahlung abgewandte Seiten (S) des Halbleitermaterials (HL) eine Beschichtung (B) aufweisen, um ein Eindringen von Strahlung in das Halbleitermaterial (HL) zu verhindern.Direct conversion X-ray detector (C3, C5), in particular for use in CT systems (C1), comprising at least: 1.1. a semiconductor material (HL) used for the detection of X-radiation, characterized in that 1.2. a plurality of sides (S) of the semiconductor material (HL) facing away from the X-ray radiation have a coating (B) in order to prevent the penetration of radiation into the semiconductor material (HL).
