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靶向间皮素的高亲和力C-型单域抗体及其制备方法与应用
专利权人:
中国科学院武汉病毒研究所
发明人:
龚睿,曹广灿,杨文娟,石剑,李璇,杨春鹏,张哲
申请号:
CN201711496467.X
公开号:
CN108129566A
申请日:
2017.12.31
申请国别(地区):
中国
年份:
2018
代理人:
倪娅`陈卫
摘要:
本发明公开了一种靶向间皮素的高亲和力C‑型单域抗体及其制备方法与应用。本发明是以人抗体IgG恒定区CH2结构域的突变体m01s为骨架,构建多肽文库,再以间皮素为抗原筛选获得,该类抗体分子量较小,相对于全长单抗,具有更好的组织渗透性和结合存在位阻效应的抗原表位的能力,用于治疗和诊断一些间皮素高表达的肿瘤(如卵巢腺癌),甚至能够开发成口服药;其次,它的血浆半衰期可能达到10个小时;最后,可在原核表达系统进行表达,生产成本低、周期短。而由本发明从该类抗体中筛选出的F3针对间皮素高表达的卵巢腺癌细胞OVCAR‑3具有较好的抑制作用,应用前景好。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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