An US element (20) has a silicon substrate (11), wherein the following layers are laminated on the silicon substrate (11) in the following order: a lower electrode layer (12) having a plurality of lower electrode parts (12A) and a plurality of lower wiring parts (12B) and connected to a lower electrode terminal (52) to which a drive signal and a bias signal are applied a lower insulating layer (13) an upper insulating layer (15) on which a plurality of cavities (14) are formed an upper electrode layer (16) having a plurality of upper electrode parts (16A) and a plurality of upper wiring parts (16B) and connected to an upper electrode terminal (51) of ground potential for detecting a capacity signal and a protective film (17). Moreover, the US element (20) is also equipped with a shielding electrode part (71) formed at least above the lower wiring parts (12B) and connected to a shielding electrode terminal (53) of ground potential.La présente invention concerne un élément US (20) qui comporte un substrat de silicium (11), les couches suivantes étant stratifiées sur le substrat de silicium (11) dans lordre suivant : une couche électrode inférieure (12) qui comporte une pluralité de parties électrodes inférieures (12A) et une pluralité de parties câblages inférieures (12B) et est connectée à une borne électrode inférieure (52) sur lequel un signal dexcitation et un signal de polarisation sont appliqués une couche isolante inférieure (13) une couche isolante supérieure (15) sur laquelle une pluralité de cavités (14) sont formées une couche électrode supérieure (16) qui comporte une pluralité de parties électrodes supérieures (16A) et une pluralité de parties câblages supérieures (16B) et est connectée à une borne électrode supérieure (51) de potentiel de terre pour détecter un signal de capacité et un film de protection (17). En outre, lélément US (20) est également équipé dune partie électrode écran (71) formée au moins au-dessus des parties câblages inférieures (1
