The optoelectronic device comprises a matrix including at least one optoelectronic component comprising a GaN gallium nitride active layer comprising a plurality of InGaN / GaAsN or InGaN / AlGaN quantum wells on a p-doped Ga-nitride gallium nitride substrate covered with a layer of gallium nitride GaN doped n. The doped Ga-nitride gallium nitride substrate forms a p-GaN column covered with an insulating layer of biocompatible material. The device may include a matrix comprising a plurality of electronic components that may be of different heights. The optoelectronic component may be a photodiode or a vertical cavity semiconductor optical amplifier. This optoelectronic device can be used in epiretinal or subretinal prostheses. The same epiretinal or subretinal prosthesis may comprise a matrix of photodiodes and a matrix of vertical cavity SOA semiconductor optical amplifiers.Le dispositif optoélectronique comporte une matrice incluant au moins un composant optoélectronique comprenant une couche active de nitrure de gallium GaN comportant de multiples puits quantiques InGaN/GaAsN ou InGaN/AlGaN sur un substrat de nitrure de gallium GaN dopé p et recouverte d'une couche de nitrure de gallium GaN dopé n. Le substrat de nitrure de gallium GaN dopé p forme une colonne de p-GaN recouverte d'une couche isolante en matériau biocompatible.Le dispositif peut comporter une matrice comprenant une pluralité de composants électroniques qui peuvent être de hauteurs différentes. Le composant optoélectronique peut être une photodiode ou un amplificateur optique semiconducteur à cavité verticale. Ce dispositif optoélectronique est utilisable dans des prothèses épirétiniennes ou sous-rétiniennes. Une même prothèse épirétinienne ou sous-rétinienne peut comprendre une matrice de photodiodes et une matrice d'amplificateurs optiques semiconducteurs SOA à cavité verticale.
